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透过扬州高频电销卡股份的产品升级过程来看，该公司一方面是基于ETOX工艺并结合已有的低功耗技术体系，已启动大容量NOR Flash 研发设计，保持了低功耗的产品特性和优化的芯片面积，预计于2021年内实现多颗产品量产并在 2022 年完成整条产品线的量产。

不仅如此，扬州高频电销卡股份还是目前市场上少数能够利用SONOS工艺平台完成NOR Flash存储器芯片的研发设计的企业之一。

据了解，扬州高频电销卡股份将电荷俘获技术的SONOS工艺应用在NOR Flash的研发设计中，并与晶圆厂联合开发和优化55nm NOR Flash工艺制程的NOR Flash芯片，使得该公司的 NOR Flash芯片具备了宽电压、超低功耗、快速擦除和高性价比等特点以及领先的成本优势。

另一方面，扬州高频电销卡股份还联合晶圆厂优化130nm工艺制程下的制造工艺，针对存储单元的结构、擦写电压进行了改造和优化，有效的缩小了EEPROM芯片面积，在保障可靠性的前提下有效的降低了芯片的单位成本。

得益于该公司 0.13um/1.01um2-shrink 2Kbit EEPROM 在芯片面积、可靠性和单位成本等方面的优势，充分契合手机摄像头模组对 EEPROM 产品的性能需求，主要应用于手机摄像头领域的 16Kbit-128Kbit EERPOM 成为了公司 EEPROM 业务收入的重要支柱，2019 年度和 2020 年度占当期 EEPROM 收入的比例分别为87.84%和 87.70%，表现出较高的市场竞争力。